供应MM3723-美上美原装保护芯片

MM3723-系列-美上美原装芯片

MM3723系列集成为1.09mm × 0.81mm × 0.46mm WLCSP封装。采用高压CMOS工艺对可充电锂离子和锂聚合物电池进行过充、过放和过流保护。可检测可充电单节锂离子电池和锂聚合物电池的过充、过放、放电过流、充电过流和短路保护。

特性

(1)检测/释放电压范围及精度过充检测电压............................Vdet1……3.6V至4.6V, 5mV步长.................精度±12mV精度±20m(Ta=-20 ~ +60°C)过放检测电压.......................Vdet2……2.0V至3.0V, 50mV步长...............放电过流检测电压........Vdet3……20mV到+100mV, 1mV步长...........精度±∆V *1充电过流检测电压............Vdet4……-100mV到-20mV, 1mV步长..........检测voltage1精度±∆V * 1短  ....................................Vshort……100mV到300mV,10mV步长...........精度±8% *1过流精度

(2)检测延时时间范围过充检测延时时间.......................从1.0s, 1.2s, 4.0s选择过放检测延时时间..................从20ms, 24ms, 32ms, 96ms, 128ms放电过流检测延时时间…从8ms, 12ms, 16ms, 20ms, 256ms, 512ms充电过流检测延时时间........女士女士选择从4 ms, 6、8、10 ms, 12 ms, 16女士,96 ms检测延迟时间短  .................................选择从250μß400μ年代(3)0 v电池充电功能  ....................................选择“允许”或“禁止”(4)低电流消耗(不包括NTC偏置电流)正常模式  ..................................................... Typ。2.5μ,马克斯。4.0μ备用模式  .................................................. Max。0.1μA(过放锁存功能使能)