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SC5510GDFER 电子元器件 SOUTHCHIP/南芯 封装DFN2x2-8
集成MOSFET的高精度锂离子/聚合物电池保护芯片
介绍
SC5510G是一种高度集成的单电芯锂离子电池保护芯片。控制内部集成的MOSFET并提供电池保护功能,包括电池过压保护及电池欠压保护,充放电过流保护和负载短路保护等。SC5510G只需要很少的外部器件包括一个电容和一个电阻,可以有效地减少空间和成本,特别是有限的空间的电池应用。SC5510G特别集成了在不同温度和电池电压补偿内部MOSFET Rdson,有效保证高精度电压/电流检测及延时电路,避免电池过充/过放。因此,电池是应用在安全内的并且使用寿命得到了有效延长。SC5510G的待机电流极低以便于电池长时间存储。集成的低rdson MOSFET确保电池可以提供zui大能量。
功能
单节锂离子/聚合物电池保护芯片
成本低,易于设计,只需要一个电容和电阻
jing确的延时电路
充电过压保护及释放
放电过压保护及释放
充电过流保护
放电过流保护
负载短路保护
支持0V电池充电功能
电池反充保护
集成超低Rdson MOSFET (9 mΩ,VM-GND)
低工作电流和关机电流(5uA/0.4uA)
热关断
采用2mm * 2mm DFN封装
应用
移动电源
单节锂电池
可穿戴设备
移动设备
SC5510GDFER
SOUTHCHIP/南芯
DFN2x2-8
23+
中国