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SVS24N60FJD2 集成电路(IC) Silan/士兰微 封装TO-220FJ-3L 超结MOS功率管
SVS24N60F(FJ)(PN)(T)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度等特性,提高热行为。
此外,SVS24N60F(FJ)(PN)(T)D2应用广泛。如适用于硬/软开关拓扑。
主要特点
24A,600V, RDS(on)(typ.)=0.14W@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力
品牌:Silan/士兰微
型号:SVS24N60FJD2
封装:TO-220FJ-3L
TO-220F-3L
TO-220-3L
TO-3P
SVS24N60FJD2
Silan/士兰微
TO-220FJ-3L
22+
中国