供应SVS20N60TD2-超结MOS功率管

SVS20N60TD2 电子元器件 Silan/士兰微 封装TO-3P 超结MOS功率管

SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

主要特点
20A,600V, RDS(on)(typ.)=0.16W@VGS=10V 
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力

封装：TO-263-2L
TO-262-3L
TO-247-3L
TO-220FJ-3L
TO-220F-3L
TO-220-3L
TO-3P