供应SVG036R3NL3-MOS场效应晶体管

SVG036R3NL3 电子元器件 Silan/士兰微 封装PDFN-8  24A30V 低压MOS功率管

SVG036R3NL3  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

主要特点
24A，30V，RDS(on)（典型值）=4.9mW@VGS=10V
低栅极电荷
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准