供应SVG10170ND(T)-低压MOS功率管

SVG10170ND(T) 电子元器件 Silan/士兰微 封装TO-220-3L  60A100V 低压MOS功率管

SVG10170ND(T)   N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

主要特点
60A，100V，RDS(on)(典型值)=13mΩ@VGS=10V
低栅极电荷
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力    
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准

封装：TO-220-3L

TO-252-2L