供应SVSP35NF65P7D3-超结MOS功率管

SVSP35NF65P7D3 电子元器件 Silan/士兰微 封装TO-247-3L  35A650V 超结MOS功率管

SVSP35NF65P7D3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVSP35NF65P7D3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

主要特点
35A,650V, RDS(on)(typ.)=85mW@VGS=10V 
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力