供应SVS60R160FJDE3-超结MOS功率管

SVS60R160FJDE3 电子元器件 Silan/士兰微 封装TO-220FJ-3L  24A600V 超结MOS功率管

SVS60R160FJDE3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVS60R160FJDE3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

主要特点
24A，600V，RDS(on)(典型值)=0.16W@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准