供应SVSP7N70SD2-士兰微电子超结MOS

SVSP7N70SD2 电子元器件 Silan/士兰微 封装TO-263-2L 超结MOS功率管

SVSP7N70F(D)(S)(FJD)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度等特性，提高热行为。

此外，SVSP7N70F(D)(S)(FJD)D2应用广泛。如适用于硬/软开关拓扑，照明，适配器等领域。

主要特点
7A,700V, RDS(on)(typ.)=0.52W@VGS=10V 
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力

封装：TO-220FJD-3L
TO-263-2L
TO-252-2L
TO-220F-3L