供应SVSP14N60TD2-超结MOS功率管

SVSP14N60TD2 电子元器件 Silan/士兰微 封装TO-220-3L  超结MOS功率管

SVSP14N60F(FJD)(T)D2  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVSP14N60F(FJD)(T)D2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

主要特点
14A,600V, RDS(on)(typ.)=0.25W@VGS=10V 
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力

封装：TO-220FJD-3L
TO-220F-3L
TO-220-3L