供应SVSP11N60DD2-士兰微电子超结 MOS

地区:广东 深圳
认证:

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SVSP11N60DD2 电子元器件 Silan/士兰微 封装TO-252-2L  超结MOS功率管

SVSP11N60FJ(D)D2  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。

此外,SVSP11N60FJ(D)D2应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。

主要特点
11A,600V, RDS(on)(typ.)=0.3W@VGS=10V 
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力

品牌:Silan/士兰微

型号:SVSP11N60DD2

品牌:TO-252-2L
TO-220FJ-3L

型号/规格

SVSP11N60DD2

品牌/商标

Silan/士兰微

封装

TO-252-2L

批号

22+

产地

中国