供应SVSP11N60DD2-士兰微电子超结 MOS
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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SVSP11N60DD2 电子元器件 Silan/士兰微 封装TO-252-2L 超结MOS功率管
SVSP11N60FJ(D)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。
此外,SVSP11N60FJ(D)D2应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
主要特点
11A,600V, RDS(on)(typ.)=0.3W@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力
品牌:Silan/士兰微
型号:SVSP11N60DD2
品牌:TO-252-2L
TO-220FJ-3L
SVSP11N60DD2
Silan/士兰微
TO-252-2L
22+
中国