SVG086R0NSTR-N沟道增强型场效应管

SVG086RONSTR 电子元器件 Silan/士兰微 封装TO-263-2L 

120A、80V N沟道增强型场效应管

描述
SVG086RONT(S)(D)(L5) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管
采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品.
具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特点
120A， 80V，RDS(on) (典型值) =5.0mS@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力