14A60V N沟道增强型场效应管SVGP069R5NSATR

SVGP069R5NSATR 电子元器件 Silan/士兰微 封装SOP-8-225-1.27 

14A、60V N沟道增强型场效应管

描述
SVGP069R5NSA N 沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰
的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低
的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于二次同步整流及逆变器系统的电源管理领域。

特点
14A，60V，RDS(on) (典型值> =8mQ@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力