SVG041R2NL5TR-N沟道增强型场效应管

SVG041R2NL5TR 电子元器件 Silan/士兰微 封装PDFN-8

150A、40V N沟道 增强型场效应管

描述
SVG041R2NL5 N 沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰
的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低
的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特点
150A，40V， RDS(on) <典型值> =1.0mQ@Vcs=10V
低栅极电荷
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准