SVT035R5NMJ-100A 30V N沟道增强型场效应管

SVT035R5NMJ 电子元器件 Silan/士兰微 封装TO-251J-3L 

100A、30V N沟道增强型场效应管

描述
SVT035R5ND(MJ)(T) N 沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用
兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有
较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。.

特点
100A，30V，Ros(on)
(其型值> =4.0mQ@Ves= 10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力