供应SVS7N60DD2TR-7A, 600V DP MOS功率管

SVS7N60DD2TR 电子元器件 Silan/士兰微 封装TO-252-2L 

7A, 600V DP MOS功率管

描述
SVS7N60F(FJ)(D)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰
微电子DP MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使
得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，SVS7N60F(FJ)(D)D2 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓
扑。

特点
7A,600V, Rs(on(典型偽)=0.4892@Vcs=10V
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力