供应ST2341A-P通道增强模式MOSFET

ST2341A 电子元器件 STANSON 封装SOT-23-3L P通道增强模式MOSFET

描述
ST2341A是p通道逻辑增强模式功率场效应晶体管
采用高细胞密度，DMOS沟槽技术生产。这么高的密度
过程特别定制，以减少对状态的阻力。这些设备
特别适合低电压应用，如手机和笔记本电脑
计算机电源管理，其他电池供电电路，低在线电源
损失是必需的。该产品是在一个非常小的轮廓表面贴装包装。

功能
-30V/-6.0A, RDS(ON) = 20m-欧姆(典型)
@VGS v = -10
-30V/-3.8A, RDS(ON) = 28m-欧姆
@VGS = -4.5 v
超高密度电池设计
极低的RDS(上)
异常的通阻和zui大值
直流电流的能力
SOT-23-3L包装设计