供应SCTWA90N65G2V-4 碳化硅功率MOSFET

SCTWA90N65G2V-4 电子元器件 ST 封装TO-247-4 碳化硅功率MOSFET

描述
这种碳化硅功率MOSFET器件是使用ST开发的
先进和创新的第二代SiC MOSFET技术。该设备
具有非常低的单位面积通电阻和非常好的开关
的性能。开关损耗的变化几乎与结无关
温度。

特性
高速开关性能
非常高的工作结温度能力(TJ = 200°C)
非常快速和稳健的内禀体二极管
极低的栅极电荷和输入电容

应用程序
可再生能源系统的电源供应
高频DC-DC转换器
充电站