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产品属性
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供应原装 512MB B- SDRAM K4S511632B-TC75 欢迎咨询!
特点
• JEDEC标准的3.3V电源
• LVTTL与复用地址兼容
•四家银行的操作
• MRS循环地址重点项目
- 。 CAS延迟时间( 2 & 3 )
- 。突发长度(1, 2,4, 8)的
- 。突发类型(顺序&交错)
•所有输入进行采样,系统时钟的正边沿。
•突发读取单个位的写操作
• DQM ( X4,X8 ) & L( U) DQM ( X16 )的屏蔽
•自动&自我刷新
• 64ms的刷新周期( 8K循环)
概述
该K4S510432B / K4S510832B / K4S511632B为536,870,912比特同步高数据速率动态随机存储器组织成4个
33554432字由4位/ 4× 16777216字由8位/ 4× 8,388,608字×16位,制造与三星的高perfor-曼斯CMOS技术。同步设计允许精确的周期控制与利用系统时钟的I / O事务是可能的在每个时钟周期。工作频率范围,可编程突发长度和可编程延迟允许在同一台设备,以针对各种不同的高带宽,高性能存储系统的应用是有用的。
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K4S511632B-TC75
SAMSUNG
TSOP54
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