TLC27L2CDR TI/德州仪器 SOIC8

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■产品名称:TLC27L2CDR

■功能名称:双通道、16V、85kHz、低功耗(10μA/通道)、输入接近 V- 的运算放大器

■概要:
    TLC27L2和TLC27L7双运放结合了宽范围的输入偏置电压等级,具有低偏置电压漂移,高输入阻抗,极低功耗和高增益。
    这些器件使用德州仪器硅栅LinCMOSTM技术,其提供的偏置电压稳定性远远超过传统金属栅工艺的稳定性。
极高的输入阻抗,低偏置电流和低功耗使这些具有成本效益的器件成为高增益,低频,低功耗应用的理想选择。有四个偏置电压等级可供选择(C后缀和I后缀类型),从低成本的TLC27L2(10 mV)到高精度的TLC27L7(500 μV)。这些优点,再加上良好的共模抑制和电源电压抑制,使这些器件成为先进的设计以及现有设计升级的良好选择。
    总的来说,LinCMOSTM运放具有与双极技术相关的许多功能,而没有双极技术的功耗惩罚。一般应用,如传感器接口,模拟计算,放大器块,有源滤波器和信号缓冲器很容易设计与TLC27L2和TLC27L7。器件还具有低电压单电源操作和超低功耗,使它们非常适合远程和不可访问的电池供电应用。共模输入电压范围包括负轨。
 可提供广泛的封装选项,包括小轮廓和芯片载体版本的高密度系统应用。
 器件输入和输出设计,以承受-100毫安的浪涌电流,而不持续锁存。
     TLC27L2和TLC27L7合并内部ESD保护电路,防止在高达2000 V的电压下的功能故障,根据MIL-STD-883C,方法3015.2测试; 然而,在处理这些设备时应注意,因为暴露在ESD下可能会导致器件参数性能的退化。
 C后缀器件的特征是0°C至70°C的操作。I后缀器件的特征是-40°C至85°C的操作。M后缀设备的特点是在-55°C到125°C的整个军事温度范围内运行。

■特征:
●调整偏置电压:TLC27L7...500μV在25°C,VDD=5V
 ●输入偏置电压漂移...通常为0.1μV/月,包括前30天
 ●宽范围的电源电压超过指定的温度范围:>0°C至70°C...3V至16V
● -40°C至85°C...4V至16V
● -55°C至125°C...4V至16V
 ●单电源操作
 ●共模输入电压范围扩展到负轨道以下(C后缀,I后缀类型)
● 超低功耗...通常为95μW在25°C,VDD=5V
● 输出电压范围包括负轨道
● 高输入阻抗...1012型
● ESD保护电路
● 小外形封装选项,也可提供带和卷
● 内置锁存免疫功能
● LinCMOS是德州仪器的商标。

型号/规格

TLC27L2CDR

品牌/商标

TI/德州仪器

封装

SOIC8

批号

18+