供应 STB11*40T4 场效应管 MOS管 IBGT

地区:广东 深圳
认证:

蔡明柱

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STB40NE03L-20T4
STB7NK40Z
STB70NFS03
STB1132Y
STB6NC60T4
STB55NF06LT4
STB40NF10T4
STB60NH02LT4
STB100NH02LT4
STB100NF04-1
STB36NF03LT4
STB40NF03L
STB70NF03
STB70NF3LLT4
STB75NE75
STB7NK40Z
STB40NF10T4
STB60NH02LT4
STB100NH02LT4
STB36NF03LT4
STB40NE03L-20T4
STB55NF06L
STB55NF06T4
STB70NF03L
STB40NF10T4
STB100NH02LT4
STB80NF10
STB35NF10
STB60NH02LT4
STB100NH02LT4
STB11NK40ZT4
STB120NF10
STB16*25
STB22NE10LT4
STB22NF10LT4
STB3NC60
STB4NC60T4
STB6NK60T4
STB7*40T4
STB9NK70ZT4
STB55NF06T4
STB70NF03
STB11NM50T4
STB210NF02T4
STB3015L
STB40N03L-20T4
STB40NE03L-20
STB45N10L
STB55NF03L
STB5NK50ZT4
STB60N06
STB60NF03L
STB70NF02LT4
STB7*60
STB1132Y
STB35NF10
STB6NC60T4
STB70NF03L
STB70NF3LLT4
STB1188-Y
STB11*40
STB11NK50ZT4
RD47P-T1
RD4*
RD47P-T1
RD4.*-T1
RD4*-T1
RD4.7P-T1
RD47P-T1
WP92927L2
WP92927L6
WP92856L1
STB36NF02LT4
STB36NF06LT4
STB60N03
STB40NF03L
STB75NE75
STB100NH02LT4
STB19*20
STB3020L
STB50NE10
STB7NK40ZT4
STB8NA50
STB55NF06L
STB40NF10T4
STB60NH02LT4
2SC3356
2SC3618-T1
2S*821E-AY
2SC2757-T1B
2SC2954
2SC3076
2SC3420-BL
2SC3420-GR
2SC3651
2S*003E-TL
2S*256
2S*703SE
2SC5053
2SC5134
2SC5368
2SC1623
2SC3356-T1B
2SC3646T-TD
2S*821
2SC5707-TL
2SC5785
2SC5886
2SC3356-T1
2SC3357
2SC3647S-TD
2S*672-Q
2SC2873-Y
2SC3588-Z-E1
2SC2258
2SC2412K
2SC2458-BL
2SC2502
2SC2611
2SC2712-Y
2SC2780
2SC2873-O
2SC2881
2SC2881-Y
2SC2982
2SC3074
2SC3268
2SC3326-B
2SC3380ASTL
2SC3421-Y
2SC3607
2SC3632
2SC3647
2SC3953
2S*116-Y

STB11NK40ZT4 功率MOSFET,400V,N沟道,0.49Ω,9A

型号:
STB11NK40
STB11NK40Z
STB11NK40ZT4
STP11NK40Z
STP11NK40ZFP
厂商:ST/意法半导体
封装:SOT-263,TO-220,TO-220F
批号:10
供应数量:50000PCS
*小包装:1000/盘,管装
产品特点:
T*e         VDSS  RDS(on) ID   Pw
STB11NK40Z   400V  <0.55Ω 10A  110W
STP11NK40Z   400V  <0.55Ω 10A  110W
STP11NK40ZFP 400V  <0.55Ω 10A  30W
1.*高的dv/dt的能力
2.100%雪崩测试
3.天关电荷减少
4.*低的固有电容
5.制造业重复性*好
Description
The SuperM*H? series is obtained through an
extreme optimization of ST’s well established
strip-based PowerM*H? layout. In addition to
pushing on-resistance significantly down, special
care is taken to ensure a very good dv/dt
capability for the most demanding applications.
Applications
1.Switching application

STB11*40T4 N沟道400V,0.48ohm,10.7A,PowerM*H MOSFET,意法半导体

型号:
STB11*40
STB11*40T4
STB11*40-1
厂商:ST/意法半导体
封装:SOT-263,TO-262
批号:10
供应数量:50000PCS
*小包装:1000/盘,管装
产品特点:
T*e         VDSS   RDS(on)  ID
STB11*40   400 V  <0.55Ω  10.7 A   D2PAK
STB11*40-1 400 V  <0.55Ω  10.7 A   I2PAK
1.典型的RDS(on)=0.48Ω
2.*高的dv/dt的能力
3.100%雪崩测试
4.*低的固有电容
5.尽量减少栅*电荷
应用
1.大电流,高开关速度
2.开关模式电源(SMPS)
3.直流,交流电转换器焊接设备和不间断电源和电机驱动

"
品牌/商标

ST/意法

型号/规格

STB11*40T4

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

L/功率放大

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

1(V)

夹断电压

1(V)

跨导

1(μS)

*间电容

1(pF)

低频噪声系数

1(dB)

漏*电流

1(mA)

耗散功率

1(mW)