RQ3E120AT 晶体管 FET MOSFET 单

RQ3E120AT

制造商

Rohm Semiconductor

制造商零件编号

RQ3E120ATTB

描述

MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）

原厂标准交货期 20 周

详细描述 表面贴装-P-沟道-pval-2068-12A（Ta）-2W（Ta）-8-HSMT（3.2x3）

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 12A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 62nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3200pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2W（Ta）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-HSMT（3.2x3）

封装/外壳 8-PowerVDFN

RQ3E120AT

RQ3E120AT

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