5N60，代理，高压MOS，深圳现货

5N60

产品资料

功率MOSEFT—5N60

4.5A，600V N沟道

5N60功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性，如极快

的开关速度，极低栅电荷，最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关电源，

DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。

1、特征

· 4.5A，600V， RDS(on)=2.4Ω@Vgs=10V；

· 极低栅电荷，典型15nC；

·极低反向转换电容；典型6.5pF

· 快速开关能力；

· 增强的dV/di能力；

· 100%雪崩击穿测试；

· 封装型式：TO-220/220F

· 最大结温 150 ℃

基本信息：

类别：晶体管
晶体管极性:N
漏极电流, Id最大值:4.5A
电压, Vds最大:600V
功耗:33W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220F
功率, Pd:33W
封装类型:TO-220F
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds典型值:600V
电流, Id连续:4.5A
电流, Idm脉冲:18A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th典型值:4V

型号/规格

5N60

品牌/商标

美国进口

封装形式

TO-220F/TO251/TO252

环保类别

无铅环保型

安装方式

按封装形式

包装方式

按封装形式

供应5N60，代理，高压MOS，深圳现货