供应1N60 代理,高压MOS,现货热销

地区:广东 深圳
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深圳市赛明电子有限公司

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600V,0.3A,1W,内阻11.5R 1N60,普通二极管锗管.峰值反向电压40V,最小正向电流375微安,平均整流电流30MA.表上查1S34,1S34A参数相近,应能代换.

产品类型:整流管 是否进口:是 品牌:愿厂
型号:二极管1N60 材料:硅(Si) 封装:玻封贴片
批号:14+
品牌:- 型号:1N60 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET 开启电压:-(V) 夹断电压:-(V) 低频跨导:-(μS) 极间电容:-(pF) 低频噪声系数:-(dB) 最大漏极电流:-(mA) 最大耗散功率:-(mW)

公司经销MOS场效应管芯片/晶圆1N60,质量保证。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系,共同发展!

产品介绍:

1N60是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET,具有快速开关的特点。

芯片物理参数:

芯片型号Model

1N60

芯片尺寸:

1.82*2.02

芯片厚度(μm)

290

硅片直径(㎜)

φ125

正面电极金属

背面电极金属

芯片基本性质:

VDSS

600V

RDS(on)

10.0(max)

ID

1.0A

厂家参考封装形式:

芯片型号

封装型号

封装类型

1N60

TO-252、TO-251

塑封

我公司可提供相关型号详细资料。


型号/规格

1N60

品牌/商标

美国进口

封装形式

TO92/TO252

环保类别

无铅环保型

安装方式

都有

包装方式

按封装形式