供应IR2184S,高电压,高速电力MOSFET

地区:广东 深圳
认证:

深圳市赛明电子有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺



特性

•浮动通道为引导操作而设计的

完全操作+ 600 v

宽容的负面瞬态电压

dV / dt免疫

•门驱动供应范围从10到20 v

•欠压锁定频道

•3.3 v和5 v的输入逻辑兼容

•匹配渠道的传播延迟

•逻辑和权力+ / - 5 v抵消。

•低di / dt门驱动更好的噪声免疫力

•输出源/ 1.8 / 1.4反向电流的能力

•也可用无铅(PbF)


描述

IR2184(4)(S)是高电压,高速电力MOSFET和IGBT司机与高、低的依赖引用输出通道。专有的HVIC和门闩免疫CMOS技术使加固的整体结构。的逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出,3.3 v逻辑。输出驱动程序功能高脉冲电流为司机cross-conduction缓冲阶段。流动通道用于驱动一个n沟道功率MOSFET和IGBT在高压侧配置运营600伏特。


型号/规格

IR2184S

品牌/商标

IR/国际整流器