深圳市英特法电子科技有限公司代理IR：IRFP4668PBF

 深圳市英特法电子科技有限公司代理IR：IRFP4668PBF。数据列表IRFP4668PBF
产品培训模块High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
设计资源IRFP4668PBF Saber Model
IRFP4668PBF Spice Model
PCN 组件/产地Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
PCN 封装Package Drawing Update 19/Aug/2015
标准包装 25类别分立半导体产品家庭FET - 单系列HEXFET®包装 管件FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能标准漏源极电压（Vdss）200V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）130A（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）9.7 毫欧 @ 81A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）241nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）10720pF @ 50V功率 - 最大值520W工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商器件封装TO-247AC产品目录页面1519 (CN2011-ZH PDF) 联系：  手机： 欧阳先生。