场效应管N沟道MOS管 IRFP460PBF

地区:广东 深圳
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技术参数

品牌:VISHAY
型号:IRFP460PBF
封装:原厂封装
批号:19%2B
数量:8000
类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商:Vishay Siliconix
FET 类型:N 通道
漏源电压(Vdss):500 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值):270 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(值):4V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值):210 nC @ 10 V
Vgs(值):?20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值):4200 pF @ 25 V
功率耗散(值):280W(Tc)
工作温度:-55?C ~ 150?C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3



型号/规格

IRFP460PBF

品牌/商标

VISHAY(威世)

封装形式

TO-247AC-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

管装

功率特征

大功率