规格参数数值
栅极电荷（Qg）@ Vgs 150nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds 5380pF @ 50V
功率 - 最大375W
安装方式通孔
通道数1通道
晶体管极性N沟道
Vds - 漏源击穿电压200 V
Id - 连续漏极电流76 A
Rds On - 排水源阻力20 mOhms
Vgs th - 栅源阈值电压
Vgs - 栅源电压20 V.
Qg - 门电荷100 nC
工作温度 - 55°C
最高工作温度+ 175°C
配置单
合格
频道模式增强
商品名
包装管
FET型N沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）200V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C 76A（Tc）
驱动电压（最大Rds开启，最小Rds开启）10V
Vgs（th）（Max）@ Id 5V @250μA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs 150nC @ 10V
Vgs（最大）±20V
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds 5380pF @ 50V
FET功能
功耗（最大）375W（Tc）
Rds On（Max）@ Id，Vgs 20 mOhm @ 44A，10V
工作温度-55°C〜175°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3
