cbb16 直流逆变电容适用于EMI滤波器

产生及工艺：

现代变速传动用静态变频器，其中半导体的开关作用产生很多的寄生信号，因此，在线路中需要电容器进行滤波、消除纹波和谐波。该自愈式金属化薄膜电容器可以作为中间电路的直流连接和谐波滤波用，同时，也可作为控制电路中的嵌位及吸收电容器。

电容器原材料膜，经过*的金属化镀层—浙变方阻。通过在聚丙烯基膜的一面上进行*的真空蒸镀工艺，使镀层的厚度在薄膜的不同位置是产生不同的厚度。

连接引出处，增加镀层度可以大大*电容器处理大电流能力。而*的金属化镀层的结构使得自愈性能和串联电阻变得更为合理，其实际的结构构造使得电容器的性能发挥的更加彻底。同时*了容量的稳定和精度，电感量低，大幅*了耐大电压、涌流的强度。

n 技术参数Technical Specification

额定容量Capacitance C (μF)	4.0μ 40μf	10μF	20μF	50μF	3μF
额定电压Rated DC voltage Un (V)	1250VDC	1400VDC	1400VDC	350VDC	500VDC
*大电流Max rms Current Imax (A)	40A	18A	35A	35A	45A
电容量偏差Capacitance tolerance（J）：	&plu*n;5%	&plu*n;5%	&plu*n;5%	&plu*n;5%	&plu*n;5%
dv/dt (V/μs)	200	200	200	200	800
自感量Self Inductance Rs (nH)	≤10	≤10	≤10	≤10	≤10
端子间测试电压Ut-t（V）	1200V, 10S	1800V, 10S	1800V, 10S	600V, 10S	1800V, 10S
端子与外壳间测试电压Ut-c (V):	4000VAC, 60S	4000VAC, 60S	4000VAC, 60S	4000VAC, 60S	4000VAC, 60S
ф直径×高度фd×h ( mm)	744649	ф50×60	ф50×60	ф50×60	504450
损耗角正切：tgδ(20℃,10kHz)	≤100×10^－⁴	≤30×10^－⁴	≤50×10^－⁴	≤55×10^－⁴	≤10×10^－⁴

n 特点

² 应用于大功率高频开关电源中高频脉冲电流吸收、滤波

² 等效串联电阻小，能承受较大的纹波电流和大电流冲击

² 自感小，高频特性好

² 有自愈性

² 寿命长

² 塑料外壳，树酯灌封

n 应用场合

² 用于高频开关电源中滤波、吸收、隔直、谐振电路，用于EMI电路，如高频逆变焊机、UPS、电动汽车等

品牌/商标

赛福

型号/规格

电力电子电容器

介质材料

*薄膜

应用范围

滤波

外形

圆柱形

功率特性

小功率

频率特性

高频

调节方式

固定

引线类型

径向引出线

允许偏差

&plu*n;5（%）

耐压值

1000（V）

等效串联电阻(*R)

4000（mΩ）

标称容量

3~50uf（uF）

损耗

tgδ≤20*10-4(100Hz，1Vrms)

额定电压

350~1400（V）

*缘电阻

≥3000S（MΩ·µF）（mΩ）

温度系数

40/70/21或40/85/21

cbb16 直流逆变电容 适用于EMI滤波器

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