供应IGBT吸收电容器

供应IGBT吸收电容器 

产生及工艺：

现代变速传动用静态变频器，其中半导体的开关作用产生很多的寄生信号，因此，在线路中需要电容器进行滤波、消除纹波和谐波。该自愈式金属化薄膜电容器可以作为中间电路的直流连接和谐波滤波用，同时，也可作为控制电路中的嵌位及吸收电容器。

电容器原材料膜，经过*的金属化镀层—浙变方阻。通过在聚丙烯基膜的一面上进行*的真空蒸镀工艺，使镀层的厚度在薄膜的不同位置是产生不同的厚度。

连接引出处，增加镀层度可以大大*电容器处理大电流能力。而*的金属化镀层的结构使得自愈性能和串联电阻变得更为合理，其实际的结构构造使得电容器的性能发挥的更加彻底。同时*了容量的稳定和精度，电感量低，大幅*了耐大电压、涌流的强度。

用途：

该电容器广泛用于工业变频器的滤波单元、电力牵引机车变流单元的滤波支撑、斩波器中的储能滤波、中高频感应加热的滤波单元并广泛应用于电焊机等行业。

技能特点：

高*性：产品内部介质单元自身具备自愈、*爆功能

大容量范围：100μF—10000μF（根据用户需要还可以调整）

高电压：*高可达10KVDC

低自感：*小30nH

低损耗：tgδ≤20*10^-4(100Hz，1Vrms)

低*R

高的电流处理能力：dv/dt_max=50V/μs

工作温度：-25℃— 75℃

存贮温度：-40℃— 85℃

相对温度≤85%

执行标准：IEC61071

规格尺寸

若有其它需要，可与本人沟通订做。