图文详情
产品属性
相关推荐
NT5AD512M16A4-IXT NANYA(南亚)DDR4存储芯片 原厂原装
生产商:NANYA(南亚)
产品类别:第四代双倍数据率同步动态存储器
系列:-
存储格式:DRAM
存储技术:SDRAM-DDR4
存储容量:8Gb
存储接口:并联
SPEED(速度):-
时钟频率:-
写入时间:-
访问时间:-
电压-电源:1.14V ~ 1.26V
工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:FBGA-96
原厂包装:卷带
零件状态:批量生产
应用领域:汽车电子,台式电脑,服务器,游戏机,物联网设备,便携式电脑,智能电视,网络通信,
人工智能,虚拟现实,增强现实,移动通信,工业控制,仪器仪表,安防监控,移动终端,
DDR4 SDRAM(Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory,简称为DDR4 SDRAM)第四代双倍数据率同步动态随机存储器,是一种高带宽的计算机存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品,提供了相较于DDR3 SDRAM更高的运行性能与更低的功耗,是现时最新的存储器规格。早于2011年,SAMSUNG制造并公布全球首支DDR4-SDRAM存储器模块,2012年9月JEDEC宣布正式成为DDR3 SDRAM(第三代双倍数据率同步动态随机存取存储器)的后继存储器标准。起始数据传送率由2133MT/s起跳,上限暂定为4266MT/s。实际相关的主板、处理器产品在2014年面世。
价格说明
我司在爱采购商铺展示的价格为指导价格或该商品曾经展示的销售价格,非原价,仅供参考。具体售价以公司销售代表确认的价格为准。
购买说明
客户订购产品之前请联系我司销售代表确认产品的库存数量,库存位置,订货周期等相关信息。确认信息之后由我司销售代表通过公司系统生成订单,交由客户最后确认签字后生成正式订单。
NT5AD512M16A4-IXT
NANYA(南亚)
FBGA96
8Gb
卷盘
SDRAM - DDR4
DRAM
易失
H9CKNNNBPTATDR-NTH 供应SKhynix原装LPDDR3
MT41K128M16JT-125 AIT:K 镁光原装DDR3L 现货供应
H9CKNNNBPTATDR-NUH 供应SKhynix原装LPDDR3
IS43R86400D-6TLI ISSI原装DDR 现货供应
NT6TL128M32BA-G0 现货供应NANYA原装LPDDR2
MT41K512M8DA-107IT:P 镁光原装DDR3L现货供应
K4W1G1646G-BC11 优势供应SAMSUNG原装GDDR3
H9CCNNNBJTMLAR-NTM 供应SKhynix原装LPDDR3
H9CKNNNBKTMRPR-NUH 供应SKhynix原装LPDDR3
H9HCNNN4KMMLHR-NME 供应海力士原装LPDDR4