N25Q064A13ESEC0F 美光NOR闪存 原装现货

生产商：MICRON(美光科技)

产品类别：NOR型闪存

系列： N25Q

存储格式：闪存

存储技术：FLASH-NOR

存储容量：64Mb

存储接口：SPI

时钟频率：-

写入时间：-

访问时间：-

电压-电源：2.7V ~ 3.6V

工作温度：-40°C ~ 85°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOIC-8

原厂包装：托盘

零件状态：批量生产

产品用途：MICRON（美光）的NOR闪存芯片主要应用于服务器，智能电视，视频监控，汽车电子，物联网设备，网络机顶盒，通信设备，平板电脑等消费类以及工业类电子设备，是全球第二大存储器供应商。我司供应的产品包含MICRON的DRAM,NAND,NOR闪存,eMMC，eMCP嵌入式存储等全系列存储产品。

NOR闪存的基本原理

NAND与NOR两者在基本的数据存储方式和操作机理上都大致相同。闪存以单晶体管作为二进制信号的存储单元，它的结构与普通的半导体晶体管(场效应管)非常类似，区别在于闪存的晶体管加入了“浮动栅(floating gate)”和“控制栅(Control gate)”—前者用于贮存电子，表面被一层硅氧化物绝缘体所包覆，并通过电容与控制栅相耦合。当负电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时，该NAND单晶体管的存储状态就由1变成0。相对来说，当负电子从浮动栅中移走后，存储状态就由0变成1；而包覆在浮动栅表面的绝缘体的作用就是将内部的电子“困住”，达到保存数据的目的。如果要写入数据，就必须将浮动栅中的负电子全部移走，令目标存储区域都处于1状态，这样只有遇到数据0时才发生写入动作—但这个过程需要耗费不短的时间，导致不管是NAND还是NOR型闪存，其写入速度总是慢于数据读取的速度。虽然基本原理相同，但闪存可以有不同的电荷生成与存储方案。其中应用最广泛的是“通道热电子编程(Channel Hot Electron，CHE)”，该方法通过对控制栅施加高电压，使传导电子在电场的作用下突破绝缘体的屏障进入到浮动栅内部，反之亦然，以此来完成写入或者抹除动作；另一种方法被称为“Fowler-Nordheim(FN)隧道效应法”，它是直接在绝缘层两侧施加高电压形成高强度电场，帮助电子穿越氧化层通道进出浮动栅。NOR闪存同时使用上述两种方法，CHE用于数据写入，支持单字节或单字编程；FN法则用于擦除，但NOR不能单字节擦除，必须以块为单位或对整片区域执行擦除操作，由于擦除和编程速度慢、块尺寸也较大，使得NOR闪存在擦除和编程操作中所花费的时间很长，无法胜任纯数据存储和文件存储之类的应用，但它的优点是可支持代码本地直接运行；其次，NOR闪存采用随机存储方式，设备可以直接存取任意区域的数据，因此NOR闪存底部有大量的信号引脚，且每个单晶体管都需要辅助读写的逻辑，晶体管利用效率较低、容量不占优势。而NAND闪存采用FN法写入和擦除，且采用一种“页面-块”寻址的统一存储方式，单晶体管的结构相对简单，存储密度较高，擦除动作很快，但缺陷在于读出性能平平且不支持代码本地执行。另一个不可忽视的地方在于，NAND闪存很容易出现坏块，制造商通过虚拟映射的方式将其屏蔽。但是，NOR型闪存理论擦写次数约为10万次，NAND型闪存理论擦写次数约为100万次，寿命上NAND型闪存要占优势。

NOR闪存特点

NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。

价格说明

我司在爱采购商铺展示的价格为指导价格或该商品曾经展示的销售价格，非原价，仅供参考。具体售价以公司销售代表确认的价格为准。

购买说明

客户订购产品之前请联系我司销售代表确认产品的库存数量，库存位置，订货周期等相关信息。确认信息之后由我司销售代表通过公司系统生成订单，交由客户最后确认签字后生成正式订单。