图文详情
产品属性
相关推荐
NT5CC256M8JQ-EK NANYA(南亚)DDR3L存储器
主要参数
型号:NT5CC256M8JQ-EK
生产商:NANYA(南亚)
产品类别:第三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
系列:-
存储格式:DRAM
存储技术:SDRAM-DDR3L
存储容量:2Gb (256M x 8)
存储接口:并联
SPEED(速度):
时钟频率:800MHz
写入时间:-
访问时间:-
电压-电源:1.283V ~ 1.45V
工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:FBGA78
原厂包装:卷带
零件状态:在售
应用领域:汽车电子,台式电脑,服务器,游戏机,物联网设备,便携式电脑,智能电视,网络通信,
人工智能,虚拟现实,增强现实,移动通信,工业控制,仪器仪表,安防监控,移动终端,
DDR3L SDRAM,第三代低功耗双倍数据率同步动态存储器,是一种电脑存储器规格, DDR3L内存主要用于一些低功耗设备中比如为了尽量提升笔记本续航,就可以选用这种低电压版DDR3L内存。
DDR3L与DDR3功耗区别
标准的DDR3内存采用1.5V工作电压,而DDR3L内存则采用的是1.35V工作电压。
比如,一根4G DDR3L 1600笔记本内存,要比DDR3节省2W功耗,如果组成双通道将会节省4W功耗,简单来说,DDR3和DDR3L内存区别主要体现功耗和性能这两个方面。
DDR3L与DDR3性能区别
DDR3L内存功耗相比DDR3标准内存低了15%,功耗的降低,自然会造成性能的下降。通过测试,DDR3L内存性能要低于DDR3内存,不过两者差距并不算大。
价格说明
我司在爱采购商铺展示的价格为指导价格或该商品曾经展示的销售价格,非原价,仅供参考。具体售价以公司销售代表确认的价格为准。
购买说明
客户订购产品之前请联系我司销售代表确认产品的库存数量,库存位置,订货周期等相关信息。确认信息之后由我司销售代表通过公司系统生成订单,交由客户最后确认签字后生成正式订单。
NT5CC256M8JQ-EK
NANYA(南亚)
FBGA78
2Gb
卷盘
SDRAM-DDR3L
DRAM
易失
表面贴装
供应K4F6E3S4HM-MGCJ SAMSUNG原装LPDDR4
供应原装H9TKNNN4KDMPYR-NDM 海力士LPDDR2
MT51K128M32HF-60 N:B 供应MICRON原装GDDR5
IS43TR16128CL-125KBLI 供应ISSI原装DDR3
MT41J256M8HX-15E:D MICRON原装DDR3 现货供应
NT5CB128M16JR-FL 优势供应NANYA原装DDR3
供应NT6AP1024F32AV-J3 NANYA原装LPDDR4
H5PS1G83EFR-Y5C SKhynix原装DDR2 现货供应
NT5TU64M16DG-AC 供应NANYA原装DDR2
K4A4G165WE-BIRC SAMSUNG原装DDR4 现货供应