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产品属性
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NT5CC128M16JR-EK NANYA(南亚)DDR3L存储器
主要参数
型号:NT5CC128M16JR-EK
生产商:NANYA(南亚)
产品类别:第三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
系列:-
存储格式:DRAM
存储技术:SDRAM-DDR3L
存储容量:2Gb (128M x 16)
存储接口:并联
SPEED(速度):
时钟频率:-
写入时间:-
访问时间:-
电压-电源:1.283V ~ 1.45V
工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:FBGA96
原厂包装:卷带
零件状态:在售
应用领域:汽车电子,台式电脑,服务器,游戏机,物联网设备,便携式电脑,智能电视,网络通信,
人工智能,虚拟现实,增强现实,移动通信,工业控制,仪器仪表,安防监控,移动终端,
DDR3L SDRAM,第三代低功耗双倍数据率同步动态存储器,是一种电脑存储器规格, DDR3L内存主要用于一些低功耗设备中比如为了尽量提升笔记本续航,就可以选用这种低电压版DDR3L内存。
DDR3L与DDR3功耗区别
标准的DDR3内存采用1.5V工作电压,而DDR3L内存则采用的是1.35V工作电压。
比如,一根4G DDR3L 1600笔记本内存,要比DDR3节省2W功耗,如果组成双通道将会节省4W功耗,简单来说,DDR3和DDR3L内存区别主要体现功耗和性能这两个方面。
DDR3L与DDR3性能区别
DDR3L内存功耗相比DDR3标准内存低了15%,功耗的降低,自然会造成性能的下降。通过测试,DDR3L内存性能要低于DDR3内存,不过两者差距并不算大。
价格说明
我司在爱采购商铺展示的价格为指导价格或该商品曾经展示的销售价格,非原价,仅供参考。具体售价以公司销售代表确认的价格为准。
购买说明
客户订购产品之前请联系我司销售代表确认产品的库存数量,库存位置,订货周期等相关信息。确认信息之后由我司销售代表通过公司系统生成订单,交由客户最后确认签字后生成正式订单。
NT5CC128M16JR-EK
NANYA
FBGA96
2Gb
卷盘
SDRAM-DDR3L
DRAM
易失
表面贴装
供应MT48LC4M16A2P-6A IT:J MICRON原装SDR
EDJ1116DJBG-GN-F MICRON原装DDR3 现货供应
IS43TR16256A-15HBLI 供应ISSI原装DDR3
IS42S16100F-7TL 供应ISSI原装SDRAM
供应MT48LC16M16A2P-6A:G MICRON原装SDR
IS42S16400F-7BLI 供应ISSI原装SDRAM
K4B2G0846F-BMMA SAMSUNG原装DDR3 现货供应
K4B4G0846D-BYH9 SAMSUNG原装DDR3 现货供应
供应原装H9TKNNN8PDMPQR-NDM 海力士LPDDR2
供应H9TCNNN8LDMMPR-NDM SK hynix原装LPDDR2