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产品属性
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EDY4016AABG-DR-F-R MICRON(美光)DDR4存储芯片 原厂原装
生产商:MICRON(美光)
产品类别:第四代双倍数据率同步动态存储器
系列:-
存储格式:DRAM
存储技术:SDRAM-DDR4
存储容量:4Gb
存储接口:并联
SPEED(速度):Mbps
时钟频率:1.2GHz
写入时间:-
访问时间:-
电压-电源:1.14V ~ 1.26V
工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:FBGA-96
原厂包装:卷带
零件状态:批量生产
产品用途:MICRON(美光)的DDR4存储芯片主要应用于服务器,智能电视,视频监控,汽车电子,物联网设备,网络机顶盒,通信设备,平板电脑等消费类以及工业类电子设备,是全球第二大DRAM产品供应商。我司供应的产品包含MICRON的DRAM,NAND,NOR闪存,嵌入式存储eMMC,eMCP等全系列存储产品。
DDR4 SDRAM(Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory,简称为DDR4 SDRAM)第四代双倍数据率同步动态随机存储器,是一种高带宽的计算机存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品,提供了相较于DDR3 SDRAM更高的运行性能与更低的功耗,是现时最新的存储器规格。早于2011年,SAMSUNG制造并公布全球首支DDR4-SDRAM存储器模块,2012年9月JEDEC宣布正式成为DDR3 SDRAM(第三代双倍数据率同步动态随机存取存储器)的后继存储器标准。起始数据传送率由2133MT/s起跳,上限暂定为4266MT/s。实际相关的主板、处理器产品在2014年面世。
价格说明
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购买说明
客户订购产品之前请联系我司销售代表确认产品的库存数量,库存位置,订货周期等相关信息。确认信息之后由我司销售代表通过公司系统生成订单,交由客户最后确认签字后生成正式订单。
EDY4016AABG-DR-F-R
Micron
FBGA96
卷盘
4Gb
易失
SDRAM-DDR4
DRAM
表面贴装
IS42S16800F-6B 供应ISSI原装SDRAM
K4T1G164QE-HCF8 SAMSUNG原装DDR2 现货供应
供应NT6AN128M16AV-J1 NANYA原装LPDDR4
供应MT48LC16M16A2P-7E IT:D MICRON原装SDR
K4T1G164QG-BCF8 SAMSUNG原装DDR2 现货供应
H5TQ1G63EFR-PBC SKhynix原装DDR3 现货供应
H5PS1G63EFR-Y5C SKhynix原装DDR2 现货供应
供应NT5CC128M16JR-DI NANYA原装DDR3L
H5PS1G63EFR-G7C SKhynix原装DDR2 现货供应
供应MT48LC8M32B2B5-7 MICRON原装SDR