MT40A512M16LY-083E:B MICRON原装DDR4

MT40A512M16LY-083E:B MICRON(美光)DDR4存储芯片 原厂原装

生产商：MICRON(美光)

产品类别：第四代双倍数据率同步动态存储器

系列：-

存储格式：DRAM

存储技术：SDRAM-DDR4

存储容量：8Gb

存储接口：并联

SPEED(速度)：Mbps

时钟频率：1.2GHz

写入时间：-

访问时间：-

电压-电源：1.14V ~ 1.26V

工作温度：0°C ~ 95°C（TC）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：FBGA-96

原厂包装：卷带

零件状态：批量生产

产品用途：MICRON（美光）的DDR4存储芯片主要应用于服务器，智能电视，视频监控，汽车电子，物联网设备，网络机顶盒，通信设备，平板电脑等消费类以及工业类电子设备，是全球第二大DRAM产品供应商。我司供应的产品包含MICRON的DRAM,NAND,NOR闪存,嵌入式存储eMMC，eMCP等全系列存储产品。

DDR4 SDRAM（Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory，简称为DDR4 SDRAM）第四代双倍数据率同步动态随机存储器，是一种高带宽的计算机存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品，提供了相较于DDR3 SDRAM更高的运行性能与更低的功耗，是现时最新的存储器规格。早于2011年，SAMSUNG制造并公布全球首支DDR4-SDRAM存储器模块，2012年9月JEDEC宣布正式成为DDR3 SDRAM（第三代双倍数据率同步动态随机存取存储器）的后继存储器标准。起始数据传送率由2133MT/s起跳，上限暂定为4266MT/s。实际相关的主板、处理器产品在2014年面世。

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