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产品属性
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主要参数
型号:MT41J512M8RH-125:E
生产商:MICRON
封装:FBGA
包装:卷盘
容量:4Gb
存储类型:易失
存储格式:DRAM
存储技术:SDRAM-DDR3
存储接口:并联
工作电压:1.425V ~ 1.575V
安装类型:表面贴装
器件状态:批量生产
应用领域:汽车电子,台式电脑,服务器,游戏机,物联网设备,便携式电脑,智能电视,网络通信,
人工智能,虚拟现实,增强现实,移动通信,工业控制,仪器仪表,安防监控,移动终端,
购买说明
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价格说明
我司在爱采购商铺展示的价格为指导价格或该商品曾经展示的销售价格,非原价,仅供参考。
具体售价以公司销售代表确认的价格为准。
MT41J512M8RH-125:E
MICRON
FBGA78
4Gb
卷盘
SDRAM-DDR3
DRAM
易失
表面贴装
IS42S16160G-6TL 供应ISSI原装SDRAM
MT58K256M32JA-100:A 供应MICRON原装GDDR5
IS42S32400E-6TLI 供应ISSI原装SDRAM
IS43LR16800G-6BLI 芯成原装LPDDR 现货供应
H5TQ2G83EFR-PBC SKhynix原装DDR3 现货供应
K4B1G1646G-BCKO SAMSUNG原装DDR3 现货供应
供应MT48LC32M16A2P-75 IT:C MICRON原装SDR
MT41J256M8HX-15E IT:D MICRON原装DDR3 现货供应
K4T1G164QG-BCE6 SAMSUNG原装DDR2 现货供应
NT5CB128M8GN-FL 优势供应NANYA原装DDR3