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产品属性
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主要参数
型号:MT41J512M8RH-107:E
生产商:MICRON
封装:FBGA
包装:卷盘
容量:4Gb
存储类型:易失
存储格式:DRAM
存储技术:SDRAM-DDR3
存储接口:并联
工作电压:1.425V ~ 1.575V
安装类型:表面贴装
器件状态:批量生产
应用领域:汽车电子,台式电脑,服务器,游戏机,物联网设备,便携式电脑,智能电视,网络通信,
人工智能,虚拟现实,增强现实,移动通信,工业控制,仪器仪表,安防监控,移动终端,
购买说明
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价格说明
我司在爱采购商铺展示的价格为指导价格或该商品曾经展示的销售价格,非原价,仅供参考。
具体售价以公司销售代表确认的价格为准。
MT41J512M8RH-107:E
MICRON
FBGA78
4Gb
卷盘
SDRAM-DDR3
DRAM
易失
表面贴装
K4B1G1646I-BYNB SAMSUNG原装DDR3 现货供应
供应K3UH7H70AM-AGCL SAMSUNG原装LPDDR4
IS42S16160D-7TLI 供应ISSI原装SDRAM
IS42S16160G-5BL 供应ISSI原装SDRAM
IS42S86400D-7TL 供应ISSI原装SDRAM
H5TQ4G63CFR-RDC SKhynix原装DDR3 现货供应
K4A8G165WB-BCTD SAMSUNG原装DDR4 现货供应
MT41J128M16JT-107G:K MICRON原装DDR3 现货供应
H5PS5182GFR-S6I SKhynix原装DDR2 现货供应
MT47H128M8CF-25E IT:H 供应MICRON原装DDR2