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产品属性
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主要参数
型号:K4T51163QN-BIE6
生产商:SAMSUNG
封装:FBGA84
包装:托盘
容量:512Mb
存储类型:易失
存储格式:DRAM
存储技术:SDRAM - DDR2
存储接口:并联
工作电压:1.7V ~ 1.9V
安装类型:表面贴装
器件状态:批量生产
应用领域:汽车电子,台式电脑,服务器,游戏机,物联网设备,便携式电脑,智能电视,网络通信,
人工智能,虚拟现实,增强现实,移动通信,工业控制,仪器仪表,安防监控,移动终端,
购买说明
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价格说明
我司在爱采购商铺展示的价格为指导价格或该商品曾经展示的销售价格,非原价,仅供参考。
具体售价以公司销售代表确认的价格为准。
K4T51163QN-BIE6
SAMSUNG
FBGA84
512Mb
托盘
SDRAM - DDR2
DRAM
易失
表面贴装
供应原装H9TKNNN8KDMRAR-NDM 海力士LPDDR2
H5PS1G63EFR-Y5I SKhynix原装DDR2 现货供应
MT40A1G16HBA-083E:A MICRON原装DDR4 现货供应
供应NT5CC512M8EN-DII NANYA原装DDR3L
IS43DR16320D-3DBLI 供应ISSI原装DDR2
供应NT5CC128M16IP-EKI
IS43TR16512BL-125KBLI 供应ISSI原装DDR3
NT5CC128M8GN-EK NANYA原装DDR3L 现货供应
NT5CB512M8EQ-DII 优势供应NANYA原装DDR3
供应原装H9TKNNN8KDARAR-NGM 海力士LPDDR2