S34ML01G100BHI003 供应Cypress原装NAND

S34ML01G100BHI003  Cypress（赛普拉斯）NAND闪存 原厂原装

制造商：Cypress（赛普拉斯）

规格型号：S34ML01G100BHI003

英文名称：NAND Flash

中文名称：快闪存储器

存储格式：NAND

安装类型：表面贴装

原厂包装：托盘

零件状态：批量生产
产品用途：Cypress公司是一家的芯片制造商，中文名称—赛普拉斯。 赛普拉斯在纽约股票交易所上市，在数据通信、消费类电子等广泛领域均提供芯片解决方案。我司分销的产品包括NAND/NOR型闪存，FRAM铁电存储，SRAM静态随机存储器等存储类芯片。主要用于数据传输、远程通讯、PC和军用系统。

NAND闪存概述

NAND闸高速缓存利用穿隧注入（Tunnel injection）写入，以及穿隧释放（Tunnel release）抹除。NAND Flash在今天的U盘与多数储存卡上都可看到。东芝在1989年发表了NAND Flash架构，这种存储器的访问方式类似硬盘、储存卡之类的区块性存储设备，每个区块由数个页所构成。一般来说这些页的大小为512或2048或4096字节。在各个页之间彼此的连接区域会有几个字节（一般而言是数据大小的1/32），这些空间用于存储错误修正码的校验和。

读取与写入动作可以以“页”为单位偏移量进行，抹除动作只能以“区块”为单位偏移量进行。NAND Flash还有一项限制就是区块内的数据只能序列性的写入。操作次数（Number of Operations, NOPs）则代表“页”可以被写入的次数。当前MLC的NOPs是1；而SLC则是4。NAND Flash也需要由设备驱动程序软件或分离的控制器芯片来进行坏区管理，例如SD卡内部便包含实行坏区管理与耗损平衡的电路。当一个逻辑区被高端软件访问时，逻辑区对应到实体区的工作则由驱动程序或控制器进行。

价格说明

我司在爱采购商铺展示的价格为指导价格或该商品曾经展示的销售价格，非原价，仅供参考。具体售价以公司销售代表确认的价格为准。

购买说明

客户订购产品之前请联系我司销售代表确认产品的库存数量，库存位置，订货周期等相关信息。确认信息之后由我司销售代表通过公司系统生成订单，交由客户最后确认签字后生成正式订单。