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IS43LD32320C-25BLI ISSI 芯成半导体LPDDR 原装现货
生产商:ISSI 芯成半导体
规格型号:IS43LD32320C-25BLI
中文名称:低功耗双倍数据率同步动态随机存取存储器
英文名称:LPDDR SDRAM
LPDDR2 SDRAM 产品概述
LPDDR2计划用于智能手机、手机、PDA、GPS单元以及便携式游戏机等移动产品。JEDEC称其特征主要有三点。即(1)与此前标准(LPDDR)相比,加大了节能技术的支持;(2)非易失性内存(闪存)和易失性内存(SDRAM)可共用接口;(3)扩大了支持的内存容量和特性范围。
美国JEDEC固态技术协会(JEDEC Solid State Technology Association)宣布,面向低功耗内存的新标准——“JESD209-2 Low Power Double Data Rate 2(以下简称LPDDR2)”已经公开。与此前的JEDEC标准一样,可通过JEDEC的主页免费查询。
LPDDR2计划用于智能手机、手机、PDA、GPS单元以及便携式游戏机等移动产品。JEDEC称其特征主要有三点。即(1)与此前标准(LPDDR)相比,加大了节能技术的支持;(2)非易失性内存(闪存)和易失性内存(SDRAM)可共用接口;(3)扩大了支持的内存容量和特性范围。
其主要内容分别如下。首先关于(1)的节能技术,在接口(I/O)与内部的电压和内部电压两方面,原来的LPDDR为+1.8V,而此次的LPDDR2还支持+1.2V。并且,还支持更新部分内存阵列的“Partial Array Self Refresh”和“Per-Bank Refresh”。
(2)中的闪存和SDRAM可共用接口此次还是首次。这样可降低控制器的引脚数,提高内存子系统周围的安装密度。
(3)的内存特性和容量方面,支持的工作频率为100MHz~533MHz。数据位宽为×8、×16和×32。有2bit和4bit两种。闪存容量为64Mbit~32Gbit,DRAM为64Mbit~8Gbit。
价格说明
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购买说明
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IS43LD32320C-25BLI
ISSI
TFBGA134
1Gb
托盘
SDRAM-LPDDR2
K4B8G1646B-MCKO SAMSUNG原装DDR3 现货供应
IS46TR16640B-15GBLA1 供应ISSI原装DDR3
IS42S16160G-6BL 供应ISSI原装SDRAM
供应MT48LC2M32B2P-6:G MICRON原装SDR
MT40A1G16WBU-083E:B MICRON原装DDR4 现货供应
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