IS43LD16640C-25BLI 芯成原装LPDDR2 库存现货

IS43LD16640C-25BLI ISSI 芯成半导体LPDDR 原装现货

生产商：ISSI 芯成半导体
规格型号：IS43LD16640C-25BLI
中文名称：二代低功耗双倍数据率同步动态随机存取存储器
英文名称：LPDDR2 SDRAM

LPDDR2 SDRAM 产品概述

LPDDR2计划用于智能手机、手机、PDA、GPS单元以及便携式游戏机等移动产品。JEDEC称其特征主要有三点。即（1）与此前标准（LPDDR）相比，加大了节能技术的支持；（2）非易失性内存（闪存）和易失性内存（SDRAM）可共用接口；（3）扩大了支持的内存容量和特性范围。

美国JEDEC固态技术协会（JEDEC Solid State Technology Association）宣布，面向低功耗内存的新标准——“JESD209-2 Low Power Double Data Rate 2（以下简称LPDDR2)”已经公开。与此前的JEDEC标准一样，可通过JEDEC的主页免费查看。

LPDDR2计划用于智能手机、手机、PDA、GPS单元以及便携式游戏机等移动产品。JEDEC称其特征主要有三点。即（1）与此前标准（LPDDR）相比，加大了节能技术的支持；（2）非易失性内存（闪存）和易失性内存（SDRAM）可共用接口；（3）扩大了支持的内存容量和特性范围。

其主要内容分别如下。首先关于（1）的节能技术，在接口（I/O）与内部的电压和内部电压两方面，原来的LPDDR为+1.8V，而此次的LPDDR2还支持+1.2V。并且，还支持更新部分内存阵列的“Partial Array Self Refresh”和“Per-Bank Refresh”。

（2）中的闪存和SDRAM可共用接口此次还是首次。这样可降低控制器的引脚数，提高内存子系统周围的安装密度。

（3）的内存特性和容量方面，支持的工作频率为100MHz～533MHz。数据位宽为×8、×16和×32。有2bit和4bit两种。闪存容量为64Mbit～32Gbit，DRAM为64Mbit～8Gbit。

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