H9HCNNN8KUMLHR-NMO 供应SKhynix原装LPDDR4

H9HCNNN8KUMLHR-NMO SK Hynix (海力士)LPDDR4  原厂原装

生产商：SK Hynix

规格型号：H9HCNNN8KUMLHR-NMO

英文名称：Low Power DDR4

中文名称：四代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器

存储格式：DRAM

安装类型：表面贴装

封装/外壳：FBGA-

原厂包装：托盘

零件状态：批量生产

产品用途：LPDDR可以说是全球范围内最广泛使用于移动设备的“工作记忆”内存。Low Power Double Data Rate SDRAM，是DDR SDRAM的一种，又称为 mDDR(Mobile DDR SDRM),是美国JEDEC固态技术协会（JEDEC Solid State Technology Association）面向低功耗内存而制定的通信标准，以低功耗和小体积著称，专门用于移动式电子产品。我司供应的产品包含SAMSUNG(三星电子)的DRAM,NAND,NOR闪存,嵌入式存储eMMC，eMCP等全系列存储产品。

LPDDR4的性能

由于输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps，是通常使用的DDR3 DRAM的两倍，新推出的8Gb LPDDR4内存可以支持超高清影像的拍摄和播放,并能持续拍摄2000万像素的高清照片。与LPDDR3内存芯片相比，LPDDR4的运行电压降为1.1伏，堪称适用于大屏幕智能手机和平板电脑、高性能网络系统的功耗存储解决方案。以2GB内存封装为例，比起基于4Gb LPDDR3芯片的2GB内存封装，基于8Gb LPDDR4芯片的2GB内存封装因运行电压的降低和处理速度的提升，最大可节省40%的耗电量。同时，新产品的输入/输出信号传输采用三星独有的低电压摆幅终端逻辑(LVSTL, Low Voltage Swing Terminated Logic)，不仅进一步降低了LPDDR4芯片的耗电量，并使芯片能在低电压下进行高频率运转，实现了电源使用效率的最优化。

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