图文详情
产品属性
相关推荐
H9HCNNN8KUMLHR-NLN SK Hynix (海力士)LPDDR4 原厂原装
生产商:SK Hynix
规格型号:H9HCNNN8KUMLHR-NLN
英文名称:Low Power DDR4
中文名称:四代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
存储格式:DRAM
安装类型:表面贴装
封装/外壳:FBGA-
原厂包装:托盘
零件状态:批量生产
产品用途:LPDDR可以说是全球范围内最广泛使用于移动设备的“工作记忆”内存。Low Power Double Data Rate SDRAM,是DDR SDRAM的一种,又称为 mDDR(Mobile DDR SDRM),是美国JEDEC固态技术协会(JEDEC Solid State Technology Association)面向低功耗内存而制定的通信标准,以低功耗和小体积著称,专门用于移动式电子产品。我司供应的产品包含SAMSUNG(三星电子)的DRAM,NAND,NOR闪存,嵌入式存储eMMC,eMCP等全系列存储产品。
LPDDR4的性能
由于输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps,是通常使用的DDR3 DRAM的两倍,新推出的8Gb LPDDR4内存可以支持超高清影像的拍摄和播放,并能持续拍摄2000万像素的高清照片。与LPDDR3内存芯片相比,LPDDR4的运行电压降为1.1伏,堪称适用于大屏幕智能手机和平板电脑、高性能网络系统的功耗存储解决方案。以2GB内存封装为例,比起基于4Gb LPDDR3芯片的2GB内存封装,基于8Gb LPDDR4芯片的2GB内存封装因运行电压的降低和处理速度的提升,最大可节省40%的耗电量。同时,新产品的输入/输出信号传输采用三星独有的低电压摆幅终端逻辑(LVSTL, Low Voltage Swing Terminated Logic),不仅进一步降低了LPDDR4芯片的耗电量,并使芯片能在低电压下进行高频率运转,实现了电源使用效率的最优化。
价格说明
我司在爱采购商铺展示的价格为指导价格或该商品曾经展示的销售价格,非原价,仅供参考。具体售价以公司销售代表确认的价格为准。
购买说明
客户订购产品之前请联系我司销售代表确认产品的库存数量,库存位置,订货周期等相关信息。确认信息之后由我司销售代表通过公司系统生成订单,交由客户最后确认签字后生成正式订单。
H9HCNNN8KUMLHR-NLN
SK hynix
FBGA
LPDDR4
托盘
表面贴装
K4W1G1646E-HC11 优势供应三星原装GDDR3
NT6CL512T32AQ-H1 供应NANYA原装LPDDR3
NT6TL256T32BI-G1 现货供应NANYA原装LPDDR2
MT41K512M8RG-107:N 镁光原装DDR3L现货供应
MT41K256M16HA-125AIT:E 镁光原装DDR3L 现货供应
MT41K256M16TW-093:P 美光原装DDR3L现货供应
K4G41325FE-HC25 供应SAMSUNG原装GDDR5
H9CKNNN8GTMPLR-NTH 供应SKhynix原装LPDDR3
H9HCNNN4KMMLHR-NMN 供应SKhynix原装LPDDR4
MT41K128M16JT-107IT:K 镁光原装DDR3L 现货供应