图文详情
产品属性
相关推荐
H9CCNNNBJTMLAR-NUM SK Hynix (海力士)LPDDR3 原厂原装
生产商:SK Hynix
规格型号:H9CCNNNBJTMLAR-NUM
英文名称:Low Power DDR3
中文名称:三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
存储格式:DRAM
安装类型:表面贴装
封装/外壳:FBGA-
原厂包装:托盘
零件状态:批量生产
产品用途:LPDDR的全称是Low Power Double Data Rate SDRAM,LPDDR是DDR的一种,又被称为mDDR,意思就是是低功耗双重数据比率,也就是一个标准,是实现低功耗指定的内存同其他设备的数据交换标准,而且以低功耗和小体积著称,专门用于移动式电子产品。而LPDDR3,就是lpddr的第三代,它的频率更高、电压更低的同时机器的延迟也在不断变大,从而慢慢地改变了内存的子系统。我司供应的产品包含SAMSUNG(三星电子)的DRAM,NAND,NOR闪存,嵌入式存储eMMC,eMCP等全系列存储产品。
LPDDR3和LPDDR4的区别
LPDDR全称是low power double data rate的缩写,中文直译是低功耗双重数据比率,也就是实现低功耗指定的内存同其他设备的数据交换标准,专门用于移动式电子产品。
目前市场上主流的是第三代,叫做LPDDR3,最新一代技术是LPDDR4。
1、带宽更大:与LPDDR3相比,LPDDR4能够带来高达50%的性能提升。由于带宽更大,“内存敏感型”的游戏应用、120fps慢动作视频、以及2K或4K级别的视频录制将直接受益。当运行一些大量占用RAM的应用时,由于需要将大量数据在短时间内存入RAM,此时LPDDR4的优势便可以体现出来。
2、功耗更低:值得一提的是,LPDDR4在提升了速度的同时,还将工作电压降低到1.1V,而LPDDR3为1.2V,继续增强了手机续航能力。
价格说明
我司在爱采购商铺展示的价格为指导价格或该商品曾经展示的销售价格,非原价,仅供参考。具体售价以公司销售代表确认的价格为准。
购买说明
客户订购产品之前请联系我司销售代表确认产品的库存数量,库存位置,订货周期等相关信息。确认信息之后由我司销售代表通过公司系统生成订单,交由客户最后确认签字后生成正式订单。
H9CCNNNBJTMLAR-NUM
SK hynix
FBGA
LPDDR3
托盘
表面贴装
K3PE4E400A-XGC1 供应SAMSUNG原装LPDDR2
MT41K256M16HA-107:E 镁光原装DDR3L 现货供应
NT6CL128M32BM-H1 供应NANYA原装LPDDR3
H9CCNNNBPTALBR-NTD 供应SKhynix原装LPDDR3
NT6TL128M16CA-G0 现货供应NANYA原装LPDDR2
NT6TL64M32CQ-G0 现货供应NANYA原装LPDDR2
NT6CL1024F32AM-H0 供应NANYA原装LPDDR3
H9CCNNNBJTALAR-NUD 供应SKhynix原装LPDDR3
MT41K64M16JT-15E:G 镁光原装DDR3L现货供应
MT41K256M16HA-125AAT:E 镁光原装DDR3L 现货供应