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产品属性
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H9CCNNN8KTMLBR-NTM SK Hynix (海力士)LPDDR3 原厂原装
生产商:SK Hynix
规格型号:H9CCNNN8KTMLBR-NTM
英文名称:Low Power DDR3
中文名称:三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
存储格式:DRAM
安装类型:表面贴装
封装/外壳:FBGA-
原厂包装:托盘
零件状态:批量生产
产品用途:LPDDR的全称是Low Power Double Data Rate SDRAM,LPDDR是DDR的一种,又被称为mDDR,意思就是是低功耗双重数据比率,也就是一个标准,是实现低功耗指定的内存同其他设备的数据交换标准,而且以低功耗和小体积著称,专门用于移动式电子产品。而LPDDR3,就是lpddr的第三代,它的频率更高、电压更低的同时机器的延迟也在不断变大,从而慢慢地改变了内存的子系统。我司供应的产品包含SAMSUNG(三星电子)的DRAM,NAND,NOR闪存,嵌入式存储eMMC,eMCP等全系列存储产品。
LPDDR3和LPDDR4的区别
LPDDR全称是low power double data rate的缩写,中文直译是低功耗双重数据比率,也就是实现低功耗指定的内存同其他设备的数据交换标准,专门用于移动式电子产品。
目前市场上主流的是第三代,叫做LPDDR3,最新一代技术是LPDDR4。
1、带宽更大:与LPDDR3相比,LPDDR4能够带来高达50%的性能提升。由于带宽更大,“内存敏感型”的游戏应用、120fps慢动作视频、以及2K或4K级别的视频录制将直接受益。当运行一些大量占用RAM的应用时,由于需要将大量数据在短时间内存入RAM,此时LPDDR4的优势便可以体现出来。
2、功耗更低:值得一提的是,LPDDR4在提升了速度的同时,还将工作电压降低到1.1V,而LPDDR3为1.2V,继续增强了手机续航能力。
价格说明
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购买说明
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H9CCNNN8KTMLBR-NTM
SK hynix
FBGA
LPDDR3
托盘
表面贴装
K4P8G304EB-AGC1 供应SAMSUNG原装LPDDR2
H9CKNNN8GTMPLR-NTH 供应SKhynix原装LPDDR3
K3PE0E000B-XGC2 供应SAMSUNG原装LPDDR2
H9CCNNN8KTBLBR-NTD 供应SKhynix原装LPDDR3
MT41K256M16HA-107G:E 镁光原装DDR3L 现货供应
H9CCNNN8GTMLAR-NUM 供应SKhynix原装LPDDR3
MT40A1G4HX-093E:A MICRON原装DDR4 现货供应
K4PAG304EB-FGC2 供应SAMSUNG原装LPDDR2
H9CCNNNBPTALBR-NTD 供应SKhynix原装LPDDR3
K4P8G304EQ-AGC2 供应SAMSUNG原装LPDDR2