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产品属性
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TC58NVG1S3EBAI4 TOSHIBA(东芝) 原厂原装
生产商:TOSHIBA(东芝)
规格型号:TC58NVG1S3EBAI4
英文名称:NAND Flash
中文名称:NAND闪存
存储格式:闪存
安装类型:表面贴装
封装/外壳:FBGA-63
原厂包装:托盘
零件状态:批量生产
产品用途:汽车电子,台式电脑,服务器,游戏机,物联网设备,便携式电脑,智能电视,网络通信,人工智能,虚拟现实,增强现实,移动通信,工业控制,仪器仪表,安防监控,移动终端。我司供应的产品包含TOSHIBA(东芝)的DRAM,NAND,NOR闪存,嵌入式存储eMMC,eMCP等全系列存储产品。
NAND
NAND型闪存的操作方式效率低,这和它的架构设计和接口设计有关,它操作方式有点像硬盘(其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性),它的性能特点也很像硬盘:小数据块操作速度很慢,而大数据块速度就很快。NAND型闪存的基本存储单元是页(Page)。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分,实际上还要加上16字节的校验信息,因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到“(512+16)Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是(512+16)字节的页面容量,2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到(2048+64)字节。
价格说明
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购买说明
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TC58NVG1S3EBAI4
TOSHIBA
FBGA63
NAND-Flash
托盘
表面贴装
THGBMHG6C1LBAIL 供应TOSHIBA原装EMMC
K9GAG08U0E-SCB0 SAMSUNG原装闪存 现货供应
K9F2G08U0B-PCB0 SAMSUNG原装闪存 现货供应
S29GL128P90FFIR10 供应Cypress原装NOR闪存
KMJ5U000WA-B409 优势供应三星EMCP
KLUDG4U1EA-B0C1 三星原装UFS 现货供应
HY27US08121A-TPCB 海力士原装闪存 现货供应
H27U4G8F2DTR-BI SKhynix原装闪存 现货供应
KLUDG8V1EE-B0C1 三星原装UFS 现货供应
MTFC16GJGEF-AIT Z 镁光原装EMMC 现货供应