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产品属性
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NT6TL128M32BQ-G0 NANYA(南亚)LPDDR2 原厂原装
生产商:NANYA(南亚)
规格型号:NT6TL128M32BQ-G0
英文名称:Low Power DDR2
中文名称:二代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
存储格式:DRAM
安装类型:表面贴装
封装/外壳:
原厂包装:托盘
零件状态:批量生产
产品用途:汽车电子,台式电脑,服务器,游戏机,物联网设备,便携式电脑,智能电视,网络通信,人工智能,虚拟现实,增强现实,移动通信,工业控制,仪器仪表,安防监控,移动终端。我司供应的产品包含NANYA(南亚)的DRAM,NAND,NOR闪存,嵌入式存储eMMC,eMCP等全系列存储产品。
LPDDR2
LPDDR2计划用于智能手机、手机、PDA、GPS单元以及便携式游戏机等移动产品。JEDEC称其特征主要有三点。即(1)与此前标准(LPDDR)相比,加大了节能技术的支持;(2)非易失性内存(闪存)和易失性内存(SDRAM)可共用接口;(3)扩大了支持的内存容量和特性范围。其主要内容分别如下。首先关于(1)的节能技术,在接口(I/O)与内部的电压和内部电压两方面,原来的LPDDR为+1.8V,而此次的LPDDR2还支持+1.2V。并且,还支持更新部分内存阵列的“Partial Array Self Refresh”和“Per-Bank Refresh”。(2)中的闪存和SDRAM可共用接口此次还是首次。这样可降低控制器的引脚数,提高内存子系统周围的安装密度。(3)的内存特性和容量方面,支持的工作频率为100MHz~533MHz。数据位宽为×8、×16和×32。有2bit和4bit两种。闪存容量为64Mbit~32Gbit,DRAM为64Mbit~8Gbit。
价格说明
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购买说明
客户订购产品之前请联系我司销售代表确认产品的库存数量,库存位置,订货周期等相关信息。确认信息之后由我司销售代表通过公司系统生成订单,交由客户最后确认签字后生成正式订单。
NT6TL128M32BQ-G0
NANYA
POP
4Gb
托盘
表面贴装
MT41K256M8DA-125IT:K 镁光原装DDR3L 现货供应
NT6CL512F64AR-H1 供应NANYA原装LPDDR3
NT6CL384E32BQ-H2 供应NANYA原装LPDDR3
K3PE4E400D-XGC2 供应SAMSUNG原装LPDDR2
MT41K512M16HA-125IT:A 镁光原装DDR3L 现货供应
NT6TL128M32AQ-G1 现货供应NANYA原装LPDDR2
H9CKNNN8GTMPLR 供应SKhynix原装LPDDR3
K4G80325FC-HC25 供应SAMSUNG原装GDDR5
NT6CL512M16AM-H1 供应NANYA原装LPDDR3
H9CKNNNBPTATDR-NUH 供应SKhynix原装LPDDR3