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产品属性
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NT5TU64M16HG-AC NANYA(南亚) 原厂原装
生产商:NANYA(南亚)
规格型号:NT5TU64M16HG-AC
英文名称:DDR2 SDRAM
中文名称:二代双倍数据率同步动态随机存储器
存储格式:DRAM
安装类型:表面贴装
封装/外壳:FBGA-
原厂包装:托盘
零件状态:批量生产
产品用途:汽车电子,台式电脑,服务器,游戏机,物联网设备,便携式电脑,智能电视,网络通信,人工智能,虚拟现实,增强现实,移动通信,工业控制,仪器仪表,安防监控,移动终端。我司供应的产品包含NANYA(南亚)的DRAM,NAND,NOR闪存,嵌入式存储eMMC,eMCP等全系列存储产品。
DDR2
DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。此外,由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程,从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度;随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
价格说明
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购买说明
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NT5TU64M16HG-AC
NANYA
FBGA
1Gb
托盘
SDRAM-DDR2
DRAM
易失
表面贴装
MT53B512M64D4NK-053 WT:C 美光原装LPDDR4 现货供应
MT41J64M16JT-125:G MICRON原装DDR3 现货供应
NT5TU128M8HE-BEI 供应NANYA原装DDR2
H5TQ2G83GFR-RDC SKhynix原装DDR3 现货供应
供应NT6AN512T32AV-J3 NANYA原装LPDDR4
MT51K128M32HF-60 N:B 供应MICRON原装GDDR5
H5PS1G63KFR-Y5C SKhynix原装DDR2 现货供应
NT5CB128M8CN-CG 优势供应NANYA原装DDR3
供应NT5CB64M16DP-CF NANYA原装DDR3
IS42S32160B-7TLI 供应ISSI原装SDRAM