供应CypressNAND闪存S34ML04G200TFI000

供应CypressNAND闪存S34ML04G200TFI000

型号：S34ML04G200TFI000

制造商：Cypress Semiconductor

说明：NAND闪存 4G, 3V, 25ns NAND闪存

S34ML04G200TFI000特色鲜明

μ密度

- 1兆比特/ 2比特/ 4比特

“建筑”

输入/输出总线宽度：8位/ 16位

-页面大小：

-X8:

1 GBIT：（2048＋64）字节；64字节备用区

2 GBIT／4 GBIT：（2048＋128）字节；128字节备用区

-X16:

1 GBIT：（1024＋32）字；32字备用区

2 GBIT／4 GBIT（1024＋64）字；64字备用区

-块大小：64页

-X8:

1 GbIT：128K+4K字节

2 GBIT／4 GBIT：128K+8K字节

-设备尺寸

- 1 GbIT：每个设备1个平面或128兆字节

- 2 GbIT：每个设备2个平面或256兆字节

- 4 GbIT：每个设备2个平面或512兆字节

NAND闪存接口

-开放NAND闪存接口（ONFI）1兼容

-地址、数据和命令复用

电源电压

3.3V器件：VCC＝2.7V~3.6V

“安全”

一次可编程（OTP）区域

-序列号（唯一ID）（联系工厂支持）

-在电源转换期间禁用硬件程序/擦除

附加特征

S34ML04G200TFI000- 2 GB和4 GB部件支持多平面程序和擦除

命令

-支持复制备份程序

- 2 GB和4 GB部件支持多平面复制回程序

-支持读高速缓存

电子签名

-制造商ID：01H

操作温度

-工业：- 40°C至85°C

S34ML04G200TFI000性能

页读取/程序

-随机存取：25μs（马克斯）（S34 ML01G2）

-随机存取：30μs（马克斯）（S34 ML02G2，S34 ML04G2）

-顺序存取：25纳秒（分钟）

程序时间/多平面程序时间：300秒（TYP）

块擦除（S34 ML01G2）

-块擦除时间：3毫秒（TYP）

{块擦除/多平面擦除（S34 ML02G2，S34 ML04G2）

-块擦除时间：3.5毫秒（TYP）

μ可靠度

- 100000程序/擦除循环（TYP）

（4位ECC每528字节（X8）或264字（X16））

10年数据保持（TYP）

-块零，其中一个有效，至少1000个有效。

用ECC编程擦除周期

包装选项

无铅和Low Halogen

- 48针TSOP 12×20×1.2毫米

- 63球BGA 9×11×1毫米

- 67球BGA 8×6.5×1毫米（S34 ML01G2）

S34ML04G200TFI000产品属性

制造商: Cypress Semiconductor

产品种类: NAND闪存

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSOP-48

系列: S34ML04G2

存储容量: 4 Gbit

接口类型: Parallel

组织: 512 M x 8

定时类型: Asynchronous

数据总线宽度: 8 bit

电源电压-最小: 2.7 V

电源电压-最大: 3.6 V

电源电流—最大值: 30 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

封装: Tray

存储类型: NAND  

产品: NAND Flash  

速度: 30 ns  

结构: Multiplane  

商标: Cypress Semiconductor  

产品类型: NAND Flash  

工厂包装数量: 96  

子类别: Memory & Data Storage  

单位重量: 4.134 g